Szupergyors NAND flash-t fejleszt az Intel és a Micron

Milkovits Gábor, 2008. február 2. 10:03

Az Intel és a Micron által létrehozott IM Flash Technologies vegyes vállalatnak sikerült olyan NAND flashmemóriát kifejlesztenie, amely a cég állítása szerint ötször gyorsabb, mint a hagyományos NAND eszközök.

A négyrétegű architektúra magasabb órajellel lehetővé teszi, hogy az újfajta NAND flash panelek 200 Mb/s olvasási 100 Mb/s írási sebességet érjenek el. Az egyszintű NAND csipek 40 és 20 megabit/s-ra képesek. Az IM Flash a közeljövőben viszont szeretné látni a technológiát számos eszközben, a flash SSD háttértáraktól és hibrid merevlemezektől a HD videókamerákig.

A cég álláspontja szerint az USB 2.0-nál tízszer gyorsabbra tervezett USB 3.0 szabvány bevezetése után éppen az alapszintű flashmemória korlátozott olvasási sebessége lesz majd az üvegnyak, amely lassítja az ilyen eszközök működését. Éppen ezért az új, többszintű NAND flash termékek megjelenése az IM flash szerint sürgető, habár konkrét időpontokról egyelőre nem tettek említést.

Kövess minket a Facebookon!

Cikkgyűjtő

További fontos híreink

Utazási konferencia az Angyalok városában

XX. E-KERESKEDELMI KONFERENCIA BY SAMEDAY

2024. május 17. 14:47

Az IKEA Kreativ megérkezett Magyarországra

2024. május 15. 17:52

Továbbra is Christian Klein az SAP első embere

2024. május 7. 13:17

Magyar siker: Nemzetközi díjat nyert a TIME magazintól a nyelvtanuló-applikáció

2024. május 3. 19:59