32 nanométeres eDRAM az IBM-től

Milkovits Gábor, 2009. szeptember 20. 17:26

Az IBM szerint a 32 nanométeres gyártástechnológia segítségével sikerült sikerült kifejleszteniük az eddigi legkisebb és leggyorsabb beágyazott DRAM csipet.

A kék óriás állítása szerint a technológiai innováció révén a lapkán elhelyezett áramkörök mennyisége minden korábbit felülmúl, így 30 százalékkal nagyobb teljesítményt nyújt elődeinél 40 százalékkal alacsonyabb energiafelhasználás mellett. A csipbe ágyazott 32 nanométeres eDRAM modul az összehasonlító tesztek során kétszeresen múlta felül a vizsgált 22 nanométeres és négyszeresen a 32 nanométeres termékek teljesítményét. A termék a fentiek mellett 40 százalékkal energiatakarékosabb, látencia- és ciklusideje pedig kevesebb, mint 2 nanoszekundum.

Az IBM amellett, hogy saját szervereiben alkalmazza az új eDRAM-ot, a közvetlen csipgyártók és a csupán fejlesztéssel foglalkozó ARM rendelkezésére is bocsátja a technológiát. A csip hivatalos bemutatója decemberben lesz az International Electron Devices nemzetközi fórumon.