Intel: szabad az út az 50 nm-es Samsung DDR2 DRAM előtt
A dél-koreai gyártó szerint az 1 Gb-es eszköz kétszer olyan olcsón előállítható, mint a szintén 1 Gb-es ám 80 nm-es technológiával gyártott verzió, míg a 60 nm-es eljárással szemben ez az előny 50%. Ez egyúttal azt is jelenti, hogy ugyanakkora ráfordítás mellett kétszer vagy másfélszer annyi DDR2 DRAM lapkát tudnak gyártani, amivel az esetleges hiány is könnyebben kivédhető.
A Samsung az Inteltől kapott zöld jelzés után 2008 első felében kezdi meg a termékek sorozatgyártását, amelyek egyébként 800 megabit/s-os sebességgel kommunikálnak a lapkakészletekkel. A Samsung természetesen következő generációs DRAM csipjeinél is bevezeti majd az 50 nm-es eljárást, beleértve a DDR3, a GDDR4 a GDDR5 és a mobil DRAM termékeket.
Hardver ROVAT TOVÁBBI HÍREI
A DA Drive Analyzer előre jelezni a meghajtó meghibásodásából eredő adatokat fenyegető veszélyeket
A vadonatúj AI-alapú lemezhiba-előrejelző szoftver, a DA Drive Analyzer 2.0 már elérhető az ADM App Centralban, és az ASUSTOR NAS-sal együtt használható, hogy előre jelezze, mikor fog meghibásodni egy meghajtó, így elég időt biztosítva, hogy intézkedni tudj az adatok védelméről.